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LED產業鏈的現狀與未來

* 來源: * 作者: admin * 發表時間: 2020-03-30 18:16:35 * 瀏覽: 306

   LED產業鏈(lian)的現狀(zhuang)與(yu)未來

摘要:LED產業的產業鏈主要可分四部分:即LED外延片生長、芯片制造、器件封裝和應用產品及相關配套產業,分為上游、中游和下游。半導體襯底材料、外延晶片的制造是上游產業,芯片制造是中游產業,器件封裝及基于LED器件的應用產品制造是下游產業。

 

引言:發光(guang)二極管(guan)(LEDs)的*新進展使得照明行業快速增長。目前,固態照明技術逐步滲透到不同細分市場,如汽車照明、室內及室外照明、醫療應用、以及生活用品。

 

   一、LED的市場發展軌跡

 

   美國(guo)能(neng)(neng)源部*新(xin)報告(gao)指出(chu),至2020年,該(gai)技術有(you)望(wang)減(jian)少(shao)照明行業15%的(de)能(neng)(neng)源消耗,2030年節(jie)約(yue)30%——即光2030年就能(neng)(neng)節(jie)約(yue)261 TWh(太瓦(wa)時)的(de)能(neng)(neng)量,以當前(qian)(qian)的(de)價格計算其價值超過(guo)260億美元,相當于(yu)美國(guo)兩千四百萬(wan)家庭目(mu)前(qian)(qian)的(de)能(neng)(neng)源消費總和。此外,這(zhe)些節(jie)約(yue)的(de)能(neng)(neng)量用于(yu)混(hun)合發電廠將(jiang)減(jian)少(shao)大概一千八百萬(wan)噸CO2溫室氣體(ti)的(de)排放。

 

   雖然(ran)在(zai)很(hen)多(duo)情況下,這些設備的(de)(de)(de)初始成本仍(reng)然(ran)高(gao)(gao)于現有的(de)(de)(de)光源設備,但是LEDs更高(gao)(gao)的(de)(de)(de)效(xiao)率以(yi)及更長的(de)(de)(de)壽命使其具有很(hen)強的(de)(de)(de)競爭力。Strategies Unlimited估(gu)計2013年(nian)全(quan)球銷售出4億只LED燈,McKinsey調(diao)查表明2016年(nian)LEDs在(zai)全(quan)球普通照(zhao)明市(shi)場(chang)的(de)(de)(de)份額將達到(dao)45%,2020年(nian)將接近70%。到(dao)2020年(nian),該領(ling)域的(de)(de)(de)市(shi)場(chang)容量預(yu)計將從目前的(de)(de)(de)約260億美(mei)(mei)元提高(gao)(gao)到(dao)720億美(mei)(mei)元。

 

   LED裝(zhuang)置是一個復雜(za)的多組分系(xi)統(tong),可(ke)根據(ju)特(te)定需求調整性能(neng)特(te)征。以(yi)下(xia)章(zhang)節將討(tao)論(lun)白光(guang)LED及其他(ta)應用。

 

   1、LED的發(fa)展之路

 

   無機材(cai)料(liao)中電(dian)(dian)致發光現象是LED發光的基礎,HenryRound和Oleg Vladimirovich Losev于1907年(nian)和1927年(nian)分(fen)別報道LED發光現象——電(dian)(dian)流通過(guo)使得碳化硅(SiC)晶(jing)體發光。這(zhe)些結(jie)果(guo)引發了半導體及p-n結(jie)光電(dian)(dian)過(guo)程的進一步理論研究。

 

   20世紀50、60年(nian)(nian)(nian)代,科學家開始研究Ge、Si以及(ji)一(yi)系列III-V族(zu)半導(dao)(dao)體(ti)(如InGaP、GaAlAs)的電(dian)致發(fa)光(guang)性能。Richard Haynes和William Shockley證明(ming)(ming)了(le)p-n結中電(dian)子和空穴復合導(dao)(dao)致發(fa)光(guang)。隨(sui)后,一(yi)系列半導(dao)(dao)體(ti)被研究,最終于1962年(nian)(nian)(nian)由(you)Nick Holonyak開發(fa)出了(le)第*個(ge)紅光(guang)LED。受其影響,1971年(nian)(nian)(nian)George Craford發(fa)明(ming)(ming)了(le)橙光(guang)LEDs,1972年(nian)(nian)(nian)又(you)相繼發(fa)明(ming)(ming)了(le)黃(huang)光(guang)和綠光(guang)LEDs(均由(you)GaAsP組(zu)成(cheng))。

 

   強(qiang)烈的(de)研究迅速(su)使(shi)(shi)得(de)在寬光譜(pu)范圍(wei)內(從紅(hong)外到黃色)發光的(de)LEDs實(shi)(shi)現(xian)商業(ye)化,主要用于電話或(huo)控制(zhi)面板的(de)指示燈。實(shi)(shi)際(ji)上(shang),這(zhe)些LEDs的(de)效率很低(di),電流密度(du)有限,使(shi)(shi)得(de)亮度(du)很低(di),并不適于普通照(zhao)明。

 

   2、藍光LEDs

 

   高效(xiao)的(de)(de)藍(lan)光(guang)LEDs的(de)(de)研(yan)發(fa)花(hua)費了(le)30年(nian)的(de)(de)時間(jian),因(yin)為當(dang)時沒有(you)可(ke)應用的(de)(de)足夠質(zhi)量(liang)的(de)(de)寬帶(dai)隙(xi)半(ban)導體。1989年(nian),第*個基于(yu)SiC材料體系的(de)(de)藍(lan)光(guang)LEDs商品(pin)化(hua),但由(you)于(yu)SiC是間(jian)接(jie)帶(dai)隙(xi)半(ban)導體,使(shi)得其(qi)效(xiao)率(lv)很低(di)。20世(shi)紀50年(nian)代末就已經考(kao)慮使(shi)用直接(jie)帶(dai)隙(xi)半(ban)導體GaN,1971年(nian)JacquesPankove展示了(le)第*款發(fa)射(she)綠光(guang)的(de)(de)GaN基LED。然而,制備高質(zhi)量(liang)GaN單(dan)晶以及在這些(xie)材料中引入n-型(xing)和p-型(xing)摻雜(za)的(de)(de)技術仍然有(you)待(dai)開發(fa)。

 

   20世紀70年(nian)代發(fa)展(zhan)的(de)(de)金屬-有機物氣相外延(MOVPE)等技(ji)術對于高效藍(lan)光LEDs的(de)(de)發(fa)展(zhan)具有里程碑意義。1974年(nian),日本科學家Isamu Akasaki開始采用這種方(fang)法生長GaN晶體(ti),并與Hiroshi Aman合作(zuo)于1986年(nian)通過(guo)MOVPE方(fang)法首次合成了高質量(liang)的(de)(de)器件級GaN。

 

   另一(yi)個主要挑戰是p-型摻(chan)雜(za)GaN的可控(kong)合(he)成。實際(ji)上(shang),MOVPE過程中,Mg和Zn原子可進入這種材料的晶體結(jie)構中,但往往與氫結(jie)合(he),從而形成無效的p-型摻(chan)雜(za)。Amano、Akasaki及(ji)其合(he)作者觀察(cha)到Zn摻(chan)雜(za)的GaN在掃描電子顯(xian)微鏡(jing)觀察(cha)過后會發射更多的光(guang)。

 

   同樣的方(fang)式,他們證(zheng)明了電子束(shu)輻射對Mg原子的摻雜性(xing)能起到有益(yi)的作用。隨后,Shuji Nakamura提(ti)出在熱退火(huo)之(zhi)后增加一個簡(jian)單的后沉積步(bu)驟(zou),分(fen)解Mg和Zn的復(fu)雜體(ti),該方(fang)法可(ke)輕易實現GaN及其三(san)元合金(jin)(InGaN、AlGaN)的p-型摻雜。

 

   應該指出的(de)(de)是,這些三元體系的(de)(de)能帶可通(tong)過Al和In的(de)(de)成(cheng)分(fen)進行調節,使得藍光LEDs的(de)(de)設計(ji)增加(jia)了一個自由度,對于提高其效率具(ju)有重要(yao)的(de)(de)意義(yi)。事(shi)實上(shang),目(mu)前(qian)這些器件的(de)(de)活(huo)性層通(tong)常由一系列交替的(de)(de)窄帶隙InGaN和GaN層以及寬帶系的(de)(de)p-型摻雜AlGaN薄膜(mo)(作為(wei)載流子的(de)(de)p-端約束)組成(cheng)。

 

   1994年(nian),Nakamura及其合作者(zhe)基(ji)于n-型(xing)和p-型(xing)摻(chan)雜AlGaN之間Zn摻(chan)雜InGaN活性層的對(dui)稱雙異質結構設(she)計,首次展示(shi)了具有2.7%外(wai)量子效率(EQE)的InGaN藍光(guang)LED(框1列舉出了LEDs主要的性能(neng)指標定義(yi))。

 

   該(gai)LED結構示意圖(tu)(tu)示于(yu)圖(tu)(tu)1a。這些(xie)結果(guo)對于(yu)如今應用(yong)的LED基照(zhao)明(ming)(ming)技術(shu)而(er)言是很關鍵的,也因此引發(fa)(fa)了照(zhao)明(ming)(ming)行業的革命。2014年底,諾貝爾物理學獎授予Akasaki、Amano和Nakamura,表彰他們“發(fa)(fa)明(ming)(ming)用(yong)于(yu)照(zhao)明(ming)(ming)以及白光源節能的高效藍(lan)光LED”。

 

   3、LED性能指標

 

   量子(zi)效率(lv)(lv)Quantum efficiency:材(cai)料內量子(zi)效率(lv)(lv)(IQE)為(wei)輻(fu)射(she)(she)的電子(zi)-空(kong)穴復合(he)(即產生光子(zi))數量與復合(he)總(zong)量(輻(fu)射(she)(she)與非輻(fu)射(she)(she))的比值(zhi)。

 

   該指標決定了半(ban)導體(ti)(ti)材料發光(guang)效(xiao)(xiao)率(lv)(lv)。半(ban)導體(ti)(ti)LED性能通常(chang)使用外(wai)量子效(xiao)(xiao)率(lv)(lv)(EQE)表示,即IQE與提取(qu)效(xiao)(xiao)率(lv)(lv)的(de)(de)乘積。提取(qu)效(xiao)(xiao)率(lv)(lv)特指產生的(de)(de)光(guang)子中逃離(li)LED的(de)(de)部分。EQE取(qu)決于直接影響IQE的(de)(de)半(ban)導體(ti)(ti)層缺陷和影響提取(qu)效(xiao)(xiao)率(lv)(lv)的(de)(de)器(qi)件構(gou)造。

 

   發光(guang)(guang)效(xiao)率(lv)(Luminous efficacy):發光(guang)(guang)效(xiao)率(lv)表示光(guang)(guang)源發射(she)可見光(guang)(guang)輻射(she)的效(xiao)率(lv),單位一般為lm W?1。光(guang)(guang)源以(yi)單色綠光(guang)(guang)(頻率(lv)為4501012 Hz,對應波(bo)長約(yue)為555nm,人(ren)類眼睛(jing)最(zui)敏(min)感的光(guang)(guang),圖2b為相應的眼睛(jing)靈敏(min)度曲線)轉(zhuan)換100%電能,其最(zui)大(da)發光(guang)(guang)效(xiao)率(lv)達到683 lm W?1。

 

   照明用(yong)的(de)白光(guang)源通常要求有比全部可見光(guang)波段更寬(kuan)的(de)發射(she)光(guang)譜,因此其發光(guang)效率明顯低于(yu)其最大值。電能(neng)轉換成眼睛靈(ling)敏(min)度曲線以(yi)外的(de)輻射(she),無法用(yong)于(yu)照明,本應(ying)盡可能(neng)減(jian)小這類輻射(she)。

 

   相關(guan)色溫(Correlated colour temperature):用于(yu)比較不(bu)同(tong)照明技術(shu)的參比光(guang)源是處(chu)于(yu)熱平衡的黑體輻(fu)射。根據普朗(lang)(lang)克輻(fu)射定律(Planck's law of radiation),黑體白熾(chi)燈的發射光(guang)譜取決于(yu)它的溫度,相應于(yu)不(bu)同(tong)溫度下輻(fu)射的色點(dian)用CIE圖(tu)表(biao)示,即稱之為普朗(lang)(lang)克軌(gui)跡(Planckian locus)的黑點(dian)曲線(圖(tu)2f、h)。

 

   沿(yan)著普朗克(ke)軌跡的(de)不同(tong)位置,白(bai)光的(de)相關色溫(wen)(CCT)大致可分(fen)為“暖白(bai)”(2,500-3,500 K)、“自然(ran)白(bai)”(3,500–4,500 K)、“冷白(bai)”(4,500–5,500 K)以(yi)及日光(5,500–7,500 K)。

 

   顯色(se)指(zhi)數(Colour rendering index):顯色(se)指(zhi)數(CRI)是(shi)一個無量綱的指(zhi)標,描述白(bai)光源以一種相對于人(ren)類視覺感知而(er)言準確且舒適的方式顯色(se)的能力,同時(shi)考慮參比光源(相同CCT下,黑體輻射在CCT<6,000 cct="">6,000 K條件(jian)下進行測(ce)試)。

 

   CRI通常被定(ding)義為8個(ge)測試顏(yan)色(se)樣本(R1-R8)的(de)顯色(se)平均值,額定(ding)范圍在(zai)0到100之間。對(dui)于高CRI采用(yong)額外(wai)的(de)R9值,表示深紅色(se)。CRI=100意(yi)味著由測試光源發光的(de)所有(you)顏(yan)色(se)樣本都與參比光源發光的(de)相同樣本具有(you)相同的(de)顏(yan)色(se)。

 

1. 藍光InGaN LED芯片的設計

 

   a.第*個藍光InGaN/AlGaN LED示意圖(tu)。

 

   b. 具有倒置(zhi)結構以(yi)及無接(jie)觸(chu)前表面的(de)倒裝LED芯片示意圖。兩個(ge)接(jie)觸(chu)點被焊接(jie)在靠近LED的(de)基(ji)板(ban)上。

 

   c. *高水準的(de)薄膜(mo)型(xing)倒裝LED示意(yi)圖及LED器件的(de)俯(fu)視圖。這三種示意(yi)圖的(de)有效層簡化表示了雙(shuang)異質結構、單(dan)或多量子(zi)阱結構InGaN/AlGaN。

 

   過去20年,藍光LED的(de)(de)EQE逐步提高,這也(ye)是不(bu)斷降低GaN晶體(ti)結(jie)構缺陷密度的(de)(de)結(jie)果。出于成本效益(yi)的(de)(de)原因,這種(zhong)材料通常(chang)生長于藍寶石襯底(di)上(shang),然而(er)二者存在著16%的(de)(de)晶格失配以及不(bu)同的(de)(de)熱膨脹系數。這兩(liang)個因素導致(zhi)1,000℃附近MOVPE生長GaN過程中位錯缺陷的(de)(de)產生。

 

   細致優化(hua)生長工藝可使缺陷保持在107~108 cm-2范圍內,但需進一步提高其他(ta)LED應用(yong)的(de)相同結(jie)構半導體的(de)質(zhi)量。雖然InGaN LEDs存(cun)在很高的(de)缺陷密度,但其具有比其他(ta)低缺陷密度的(de)寬帶隙半導體二極管(如ZnSe)更高的(de)效率(lv),具體原(yuan)因至今不明。

 

   另(ling)一個強(qiang)烈影響LEDs提取效率(lv)以(yi)及(ji)內量子效率(lv)(IQE)提高的因素是器件的構造。圖1a顯示(shi)了(le)外p-型GaN層,其具有(you)相對較(jiao)低的電導率(lv),從而限(xian)制了(le)器件中的空穴注入,但(dan)是這個瓶頸可通過覆蓋整(zheng)個p-GaN表(biao)面(mian)的更大p-型接觸(chu)來克服。然而,電接觸(chu)會阻礙輸出光(guang)子。

 

   幾種(zhong)設計方案都(dou)可以解決這(zhe)個問題,如圖1b、c所示。倒(dao)裝芯(xin)片(圖1b)是指芯(xin)片倒(dao)置(zhi)安裝且(qie)p-和(he)n-接(jie)觸都(dou)在背后(hou)。這(zhe)種(zhong)構造提供更(geng)好(hao)的(de)散熱,獲得更(geng)高的(de)電流密度,從而使得每片芯(xin)片表(biao)面具有更(geng)高的(de)光(guang)(guang)輸出。藍(lan)寶石在藍(lan)光(guang)(guang)和(he)綠光(guang)(guang)區域是透明的(de),并不妨礙(ai)發光(guang)(guang)。

 

   此外,接觸部位可(ke)采(cai)用涂(tu)層(例如(ru)Ag)來(lai)反射(she)那些向基(ji)座(zuo)方向發射(she)的(de)光子。可(ke)采(cai)用薄膜芯片倒裝法(fa)(圖1c)進(jin)一步(bu)提升性(xing)能。從(cong)n-GaN層上講基(ji)底移除(chu),并將表面(mian)粗糙化,以(yi)提高(gao)光提取效率。據報(bao)道,結(jie)合(he)材(cai)料以(yi)及構造(zao)的(de)進(jin)展,~444nm處發光的(de)InGaN LEDs在20mA下EQE可(ke)達到84.3%。

 

   4、從(cong)藍(lan)光(guang)到白光(guang)

 

   對(dui)于(yu)今天(tian)無(wu)處不在的(de)(de)白(bai)光(guang)(guang)LEDs而言,高效率藍光(guang)(guang)發光(guang)(guang)二極管的(de)(de)發明具有(you)里程(cheng)碑意(yi)義。相對(dui)于(yu)傳統光(guang)(guang)源,LEDs具有(you)更(geng)高的(de)(de)能量效率,更(geng)重要的(de)(de)是可(ke)調節發光(guang)(guang)性(xing)能更(geng)好的(de)(de)適應(ying)不同的(de)(de)應(ying)用,例(li)如舞臺照明、建筑照明等等。

 

   一般來說,可通過幾種(zhong)不同(tong)(tong)方法獲(huo)得白光(guang)(guang)(guang)LEDs。一種(zhong)是組(zu)合(he)發(fa)藍(lan)光(guang)(guang)(guang)、綠光(guang)(guang)(guang)和紅(hong)光(guang)(guang)(guang)的(de)(de)三個(ge)不同(tong)(tong)半導(dao)體(ti)LEDs(圖2a左(zuo))。該方法最大的(de)(de)挑戰在(zai)于(yu)綠光(guang)(guang)(guang)半導(dao)體(ti)的(de)(de)EQE相對較低(≈25%),限(xian)制了相應白光(guang)(guang)(guang)LED的(de)(de)發(fa)光(guang)(guang)(guang)效率(圖2c)。InGaN與(yu)高(gao)(gao)(gao)含量銦形成(cheng)的(de)(de)固(gu)溶體(ti)通常被用于(yu)直(zhi)接發(fa)射綠光(guang)(guang)(guang)。基(ji)底(di)與(yu)InGaN間的(de)(de)晶格失配度隨銦含量的(de)(de)提高(gao)(gao)(gao)而(er)(er)(er)增加,從而(er)(er)(er)產生更高(gao)(gao)(gao)的(de)(de)缺(que)陷密(mi)度。另外,描述(shu)原子(zi)核周圍(wei)電子(zi)密(mi)度分布(bu)改(gai)變的(de)(de)量子(zi)力(li)學Stark效應也(ye)隨銦含量的(de)(de)提高(gao)(gao)(gao)而(er)(er)(er)更加明顯(xian),從而(er)(er)(er)降低綠光(guang)(guang)(guang)波段內的(de)(de)EQE。

 

   為了避免這一局(ju)限,基本上轉換發光材料的(de)綠(lv)(lv)(lv)光熒光轉換LEDs(pc-LEDs)直(zhi)接采用(yong)藍(lan)光LED發射綠(lv)(lv)(lv)光,在商業產品中通常(chang)用(yong)以(yi)取代(dai)綠(lv)(lv)(lv)光半導體(圖(tu)2a右,圖(tu)2c)這種雜(za)化LED典型的(de)發光光譜如圖(tu)2b所示。

 

&nbsp;  這(zhe)些雜化產品(直(zhi)接藍光(guang)(guang)(guang)和紅光(guang)(guang)(guang)加pc-綠光(guang)(guang)(guang))的發光(guang)(guang)(guang)效率(lv)(lv)顯著(zhu)提高(gao),且(qie)(qie)可(ke)獲得(de)高(gao)顯色(se)指數(shu)(CRI)值。由于紅、綠、藍(RGB)LEDs中三個獨立(li)發光(guang)(guang)(guang)體隨時間的推移具有(you)不同的光(guang)(guang)(guang)譜漂移,且(qie)(qie)具有(you)不同的熱降解率(lv)(lv),使(shi)得(de)其顏色(se)穩定性較差(cha)。

 

   可獨立控制(zhi)RGB中(zhong)每個通道的(de)復雜且昂(ang)貴的(de)電(dian)路需要(yao)補償這個不想要(yao)的(de)效應(ying),所以這些構造在白光應(ying)用中(zhong)的(de)使(shi)用有限。對于功(gong)能照(zhao)明(ming)以及物體和建筑照(zhao)明(ming)而言(yan),由額外電(dian)子元(yuan)件提供(gong)混色(se)功(gong)能(可動態(tai)改變(bian)輸(shu)出色(se)彩的(de)基調(diao))是非常有前景的(de)。

 

2. LED發射白光的不同方法

 

   a.白光(guang)LEDs示意圖。左:三個(ge)直(zhi)接發(fa)光(guang)LEDs(藍光(guang),InGaN;綠(lv)光(guang),InGaN;紅(hong)光(guang),AlInGaP)。右(you):兩個(ge)直(zhi)接發(fa)光(guang)LEDs(藍光(guang),InGaN;紅(hong)光(guang),AlInGaP)和(he)一個(ge)綠(lv)光(guang)pc-LEDs。

 

   ;b. 由直接發藍光(guang)和紅(hong)光(guang)的(de)(de)LEDs和一個綠光(guang)pc-LED組合而成的(de)(de)白光(guang)LED的(de)(de)發光(guang)光(guang)譜。灰色陰(yin)影譜線:人(ren)類眼睛靈敏度曲(qu)線。

 

   c. 半導體LEDs的外(wai)量子效(xiao)率(lv)(EQE)。藍色方(fang)塊(kuai)(kuai),InGaN基(ji)LEDs;紅(hong)色三角形,AlInGaP基(ji)LEDs;綠(lv)色方(fang)塊(kuai)(kuai),綠(lv)光pc-LED。

 

   d. 白光(guang)pc-LED和涂層上(shang)轉換發光(guang)材(cai)料(liao)的藍光(guang)InGaNLED示(shi)意圖。

 

   e. 具有寬帶黃光(guang)熒光(guang)的白光(guang)pc-LED的發光(guang)光(guang)譜。

 

   f. 國際(ji)照(zhao)明委員會(CIE,1931年)繪制的(de)黑體曲(qu)線(xian)(實心黑點線(xian))和CCT值(zhi)。白色方塊表示直接(jie)藍光(guang)LED和黃(huang)色發光(guang)材料(YAG:Ce)的(de)CIE顏(yan)(yan)色坐標(biao)。所有感知顏(yan)(yan)色都可沿著pc-LED的(de)點線(xian)獲(huo)得。

 

   g. CCT=2,700 K的(de)(de)pc-LEDs的(de)(de)發光光譜。黑線(xian)(xian)(xian):窄(zhai)帶紅光Sr[LiAl3N4]:Eu2+ LED(CRI=98,R9>90)。白(bai)色(se)虛線(xian)(xian)(xian):Sr[LiAl3N4]:Eu2+發光概(gai)括。紫色(se)曲線(xian)(xian)(xian):商(shang)用(yong)LED(CRI = 96,R9>80)。兩個LEDs顯(xian)(xian)示出了與2,700 K黑體輻射(黑色(se)點劃線(xian)(xian)(xian))良好的(de)(de)匹(pi)配關系。而采用(yong)窄(zhai)帶紅光材料的(de)(de)pc-LED在紅外區(qu)域的(de)(de)溢出(黑色(se)的(de)(de)向下箭(jian)頭)明顯(xian)(xian)減(jian)小。

 

   h. CIE圖。白色(se)方(fang)塊表(biao)示直接藍光(guang)LED、黃色(se)發光(guang)材料(YAG:Ce)、額(e)外紅(hong)色(se)熒(ying)光(guang)的CIE顏(yan)(yan)色(se)坐標(Sr[LiAl3N4]:Eu2+)。Pc-LED添加混合(he)可(ke)獲得所有的顏(yan)(yan)色(se),用三(san)角形表(biao)示。在(zai)此,可(ke)獲得黑體曲線(黑色(se)實(shi)線)的幾(ji)乎所有CCT值。

 

   根據混色原理(li)(圖(tu)2d),基于pc-LED策略(lve)提供白(bai)(bai)光的一(yi)個(ge)簡單(dan)(dan)方法是(shi)結(jie)合單(dan)(dan)個(ge)藍光InGaN芯(xin)片和一(yi)個(ge)或(huo)多個(ge)可見光區的發光材(cai)料。遵循這(zhe)一(yi)策略(lve),早在(zai)1996年由Nichia開(kai)發的第*款商(shang)業化白(bai)(bai)光pc-LEDs就(jiu)使用Ce3+摻雜的石(shi)榴石(shi)材(cai)料(如Y3?xGdxAl5?yGayO12:Ce3+(YAG:Ce))來發射(she)寬譜(pu)黃光(圖(tu)2e、f)。只使用單(dan)(dan)一(yi)的熒(ying)光,限(xian)制(zhi)了(le)CRI<75光源在(zai)冷(leng)白(bai)(bai)光和日光范圍(wei)內(相關色溫(wen)CCT=4,000-8,000 K)的性(xing)能(neng)。然而(er),接(jie)近理(li)論極限(xian)的高轉(zhuan)換效率令這(zhe)些(xie)器件成為那些(xie)要求(qiu)具(ju)有與日光相媲美CCT值(~6,400 K)汽車前燈的重要組成部分。

 

   理想自然色(se)彩感知度的(de)(de)(de)(de)照明應用(yong)(yong)(yong)首選更低的(de)(de)(de)(de)CCT值(2,00-4,000 K)和更高(gao)的(de)(de)(de)(de)CRIs>80。使用(yong)(yong)(yong)兩個或(huo)(huo)兩個以上發(fa)光(guang)(guang)材料(例如(ru),綠光(guang)(guang)至(zhi)黃(huang)光(guang)(guang)的(de)(de)(de)(de)LuAG:Ce或(huo)(huo)YAG:Ce結合紅光(guang)(guang)(Ba,Sr)2Si5N8:Eu2+或(huo)(huo)(Sr,Ca)AlSiN3:Eu2+)更容易實現這(zhe)些參數(shu)。調整(zheng)(zheng)這(zhe)些材料的(de)(de)(de)(de)比(bi)例,可以獲得(de)接近于黑(hei)(hei)體輻(fu)射(she)的(de)(de)(de)(de)覆蓋整(zheng)(zheng)個可見光(guang)(guang)區的(de)(de)(de)(de)連續(xu)發(fa)射(she)光(guang)(guang)譜(圖(tu)(tu)2g、h)。然而,CRI>90的(de)(de)(de)(de)高(gao)光(guang)(guang)質量(通(tong)常(chang)(chang)用(yong)(yong)(yong)于需要最自然色(se)彩的(de)(de)(de)(de)博物館、醫療室、零售商店等)通(tong)常(chang)(chang)以犧(xi)牲發(fa)光(guang)(guang)效率為(wei)代價(jia)。考(kao)慮到人眼(yan)視(shi)覺(jue)靈敏度曲線(圖(tu)(tu)2b),650 nm以后(hou)的(de)(de)(de)(de)光(guang)(guang)子很弱,造成發(fa)光(guang)(guang)效率的(de)(de)(de)(de)巨大損(sun)失。因(yin)此(ci),相比(bi)于更注(zhu)重紅光(guang)(guang)部(bu)件的(de)(de)(de)(de)pc-LED,可通(tong)過精細調節發(fa)光(guang)(guang)材料發(fa)射(she)光(guang)(guang)譜的(de)(de)(de)(de)位置和寬度使得(de)pc-LED更好(hao)的(de)(de)(de)(de)適應視(shi)覺(jue)感知(同時也具有更高(gao)的(de)(de)(de)(de)發(fa)光(guang)(guang)效率)。

 

   5、提高白光中的紅(hong)色發(fa)光材料

 

   美國能(neng)源部最近設定了2020年照明級(ji)白(bai)光(guang)LED發光(guang)效率(lv)(lv)200Im W-1的市場標準。如(ru)此高的效率(lv)(lv)通常(chang)要求pc-LEDs在苛(ke)刻(ke)的條件完成(cheng),例如(ru)芯片(pian)表面溫度達到200℃(由高電流(liu)密(mi)度產生(sheng))和主(zhu)藍光(guang)LEDs的快速光(guang)子泵率(lv)(lv)。

 

   因(yin)此,適當的熒光需(xu)要在(zai)這些條(tiao)件下表現(xian)出高轉換效率、快速(su)衰(shuai)減、以(yi)及(ji)高的抗(kang)熱降(jiang)解。Eu2+摻(chan)雜的氮化物如 (Ba,Sr)2Si5N8:Eu2+(通常其(qi)發射峰(feng)中心介于λem~590–625nm,半峰(feng)寬(kuan)FWHM為(wei)2,050-2,600cm-1)或者(Ca,Sr)AlSiN3:Eu2+(λem~610–660nm, FWHM~2,100–2,500cm?1)已經(jing)作為(wei)商(shang)用照明級白光pc-LEDs中紅光材(cai)料。

 

   然(ran)而,發(fa)(fa)(fa)射光譜(pu)的相關部分超出(chu)(chu)了(le)人眼靈敏度范圍(紅外溢出(chu)(chu),圖2g),限(xian)(xian)制(zhi)了(le)器件的整(zheng)體(ti)發(fa)(fa)(fa)光效(xiao)(xiao)率(lv)。Sr1?xCaxS:Eu2+(λem~615–650nm, FWHM~1,550–1,840cm?1)等(deng)更窄(zhai)發(fa)(fa)(fa)射材料也進(jin)行了(le)測試,但由于其與封裝材料會(hui)發(fa)(fa)(fa)生化學(xue)反應(ying)及其隨(sui)溫度升高轉換效(xiao)(xiao)率(lv)受限(xian)(xian)等(deng)原因,限(xian)(xian)制(zhi)了(le)工業應(ying)用。

 

   最近的(de)研(yan)究(jiu)獲得(de)了(le)一類新的(de)具有(you)非(fei)常窄(zhai)紅(hong)光發射的(de)氮化(hua)物材(cai)料。當前(qian)的(de)研(yan)究(jiu)將Sr[LiAl3N4]:Eu2+(λem =650nm, FWHM~1,180cm?1)和Sr[Mg3SiN4]:Eu2+(λem=615nm, FWHM~1,170cm?1)作(zuo)為下一代照明pc-LEDs的(de)基礎(chu)。

 

   Sr[LiAl3N4]:Eu2+具有良好的熱性能,且在(zai)低CCT高(gao)CRI方面(比如CCT=2,700K, CRI>90)應用(yong)時(shi)能夠(gou)降(jiang)低紅(hong)外發(fa)射(she)(she)。相比于商用(yong)高(gao)CRI的LEDs(圖2g),有望(wang)(wang)增加4-12%的發(fa)光效率。進一步的提高(gao)有望(wang)(wang)通過將(jiang)紅(hong)光發(fa)射(she)(she)光譜移到更短波長(chang)(~600–630nm)得到實現(xian),*好是具有更窄的發(fa)射(she)(she)帶。

 

   通用公司(si)GE(Trigainphosphors)最近商業化(hua)的Mn4+摻雜氟(fu)化(hua)物是(shi)另外一類窄紅光發射材料(liao)(liao)。這(zhe)些材料(liao)(liao)的發射圖譜中630 nm附近出現(xian)幾條尖線(xian)(每條都(dou)<5nm),當其與綠-黃(huang)發光石榴(liu)石材料(liao)(liao)結(jie)合(he)時(shi)刻獲得高CRI、高發光效率的燈。然而,Mn4+較(jiao)長(chang)的發光衰減時(shi)間以(yi)及離子(zi)氟(fu)化(hua)物施主材料(liao)(liao)較(jiao)低(di)的熱(re)(re)穩定性都(dou)有可(ke)能限制這(zhe)些熒光粉生(sheng)產(chan)相對較(jiao)低(di)電流密(mi)度和(he)低(di)發熱(re)(re)產(chan)品(pin)的實際應用。

 

   最后,直接(jie)紅(hong)(hong)光(guang)發射LEDs與互補pc-LEDs組合(he)的(de)雜化器(qi)件(jian)也(ye)可作為優(you)質照明(ming)。然(ran)而,直接(jie)紅(hong)(hong)光(guang)LED的(de)溫度敏感(gan)性(xing)要求更復雜的(de)結構設計,并將其(qi)應用范圍限制在(zai)低熱約束領域,比如(ru)非(fei)定向的(de)大(da)面積照明(ming)。

 

   6、改進LCDs綠(lv)色發射器

 

   LEDs廣泛應用于現代(dai)液晶顯(xian)示器(qi)(LCD)中的(de)(de)背(bei)光組件(jian)。在(zai)這些器(qi)件(jian)中,LED發光穿過一(yi)個偏(pian)振濾(lv)波(bo)器(qi)、一(yi)層(ceng)液晶、彩色(se)濾(lv)波(bo)器(qi)以及(ji)一(yi)個二級(ji)偏(pian)振濾(lv)波(bo)器(qi)(圖3a);穿過二級(ji)偏(pian)振濾(lv)波(bo)器(qi)的(de)(de)極化光的(de)(de)透射率取(qu)決于液晶的(de)(de)方向(xiang),可(ke)電調諧。與照明應用不(bu)同,要(yao)求具(ju)有*佳的(de)(de)顯(xian)示性(xing)能。

 

   特(te)別是(shi),色(se)域由(you)LCD顯示(shi)提(ti)供,取決于白色(se)背光(guang)LED源(yuan)中紅(hong)色(se)、綠(lv)色(se)、藍色(se)部(bu)分(fen)的(de)CIE(國(guo)際照明委員會(hui)Commission Internationale de l'?clairage)圖中的(de)位置,通常由(you)特(te)定(ding)標(biao)準(比如國(guo)家(jia)電視標(biao)準委員會(hui)NationalTelevision Standard Committee (NTSC), CIE 1931)校正。人眼(yan)的(de)靈(ling)敏度以及波長相關的(de)分(fen)辨率在綠(lv)光(guang)波段內更(geng)高(gao),因此(ci)可區分(fen)大量(liang)的(de)綠(lv)色(se)調。

 

   結果就是(shi),如果背(bei)光LEDs中(zhong)綠光發射器帶(dai)寬較窄的(de)(de)話(圖3b),顯示于LCD上的(de)(de)色域(yu)將明顯增加。常用(yong)的(de)(de)石榴石材料(如具有寬帶(dai)綠-黃成分的(de)(de)YAG:Ce)的(de)(de)單一熒(ying)光粉pc-LEDs無法滿足(zu)這些(xie)要求,而紅(hong)、綠、藍三原色的(de)(de)LED難以應用(yong),特(te)別是(shi)綠光LEDs的(de)(de)EQE很低(di)。

 

   最先進的(de)(de)(de)(de)高(gao)色域LEDs由窄(zhai)(zhai)帶綠光(guang)(guang)β-SiAlON:Eu2+(λem=525nm, FWHM~50nm)和窄(zhai)(zhai)帶紅光(guang)(guang)K2SiF6:Mn4+(λem=613, 631, 636, 648nm, each FWHM<5nm)結合而(er)成。特別(bie)是(shi)在更小的(de)(de)(de)(de)顯(xian)示器(qi)中,例如平板電腦和某些TV模型,含有窄(zhai)(zhai)綠光(guang)(guang)和紅光(guang)(guang)發射的(de)(de)(de)(de)量子點的(de)(de)(de)(de)板材作為高(gao)色域背光(guang)(guang)。發展綠光(guang)(guang)波段(duan)內具(ju)有窄(zhai)(zhai)發射帶寬(kuan)的(de)(de)(de)(de)固(gu)態(tai)材料將有助于提高(gao)基于節(jie)能LED背光(guang)(guang)的(de)(de)(de)(de)LCD顯(xian)示器(qi)的(de)(de)(de)(de)最大可(ke)顯(xian)示色域。

 

   a. LCD顯示器示意(yi)圖。TFT表示薄膜(mo)晶體管(thin-film transistor)。

 

  &nbsp;b. 不(bu)同色(se)(se)(se)域的(de)(de)(de)(de)CIE(1931)圖(tu)。黑點(dian)表(biao)示(shi)NTSC標準的(de)(de)(de)(de)色(se)(se)(se)度(du)坐標。虛(xu)線表(biao)示(shi)NSTC色(se)(se)(se)域。白點(dian)表(biao)示(shi)穿(chuan)過(guo)相(xiang)應(ying)濾色(se)(se)(se)片(pian)(藍(lan)(lan)、綠、紅)的(de)(de)(de)(de)背(bei)光(guang)(guang)LED的(de)(de)(de)(de)色(se)(se)(se)度(du)坐標。根(gen)據(ju)發(fa)光(guang)(guang)材料的(de)(de)(de)(de)FWHM和(he)光(guang)(guang)譜峰位置,綠色(se)(se)(se)值可假設(she)CIE圖(tu)中的(de)(de)(de)(de)不(bu)同位置,從而(er)產生不(bu)同色(se)(se)(se)域。灰色(se)(se)(se)三角(jiao)形表(biao)示(shi)寬帶綠-黃色(se)(se)(se)發(fa)光(guang)(guang)石榴(liu)石可達到的(de)(de)(de)(de)色(se)(se)(se)域。藍(lan)(lan)色(se)(se)(se)和(he)紅色(se)(se)(se)三角(jiao)形表(biao)示(shi)使用更(geng)窄的(de)(de)(de)(de)綠色(se)(se)(se)發(fa)光(guang)(guang)材料增加的(de)(de)(de)(de)色(se)(se)(se)域(見插圖(tu))。

 

   插圖:黑色(se)(se)曲(qu)線(xian)顯示典(dian)型(xing)綠色(se)(se)濾(lv)波器(qi)的通(tong)帶(dai)。灰(hui)色(se)(se)、藍色(se)(se)及紅色(se)(se)曲(qu)線(xian)顯示CIE圖中對應綠色(se)(se)發光元件(jian)的發射分布。

 

   7、應用前(qian)景

 

   全球銷售數據(ju)證實LED照(zhao)(zhao)明(ming)市(shi)場不斷增長,在其他領域的擴張也可(ke)預見。LEDs具有獨立色彩調節的潛力,因此可(ke)根據(ju)不同需求調整其發(fa)射性能。這類光譜控(kong)制照(zhao)(zhao)明(ming)可(ke)適應(ying)人體(ti)生理反應(ying),例如有助于提高注(zhu)意力或者(zhe)改(gai)善睡(shui)眠。

 

   密集型LED照明在醫療方(fang)面的影響也越(yue)來越(yue)大,比如(ru)緩解肌(ji)肉(rou)緊(jin)張或者治療皮膚疾病。此(ci)外(wai),采用特定波長(chang)的固態照明有望刺激光合作用,優化(hua)溫(wen)室(shi)作物的生長(chang)。在普(pu)通(tong)照明領域,經(jing)過成本效(xiao)益和性能(neng)方(fang)面的不斷(duan)發展,我們將從新的LED產品中不斷(duan)獲利(li)。

 

   二、LED產業鏈

 

   (一)LED簡介

 

   1、LED基(ji)本(ben)介紹(shao)

 

   LED是(shi)“Light Emitting Diode”的(de)(de)(de)(de)縮寫,中文譯為“發光(guang)二極(ji)管(guan)”,是(shi)一種(zhong)可(ke)(ke)以(yi)將電能(neng)(neng)轉化(hua)為光(guang)能(neng)(neng)的(de)(de)(de)(de)半(ban)導體(ti)器件。LED的(de)(de)(de)(de)核心部分是(shi)由p型半(ban)導體(ti)和n型半(ban)導體(ti)組成的(de)(de)(de)(de)芯(xin)片,在p型半(ban)導體(ti)和n型半(ban)導體(ti)之間有一個p-n結,當(dang)注(zhu)入的(de)(de)(de)(de)少(shao)數載流子(zi)與多數載流子(zi)復合(he)時(shi)會把多余的(de)(de)(de)(de)能(neng)(neng)量(liang)以(yi)光(guang)的(de)(de)(de)(de)形式釋放出來,從而把電能(neng)(neng)轉換(huan)為光(guang)能(neng)(neng)。不同材料的(de)(de)(de)(de)芯(xin)片可(ke)(ke)以(yi)發出紅(hong)、橙、黃、綠、藍、紫色(se)(se)等不同顏色(se)(se)的(de)(de)(de)(de)光(guang),“發光(guang)二極(ji)管(guan)”也因此而得(de)名。

 

  &nbsp;與(yu)傳統照(zhao)明(ming)相(xiang)比(bi),LED在節能方面優勢(shi)明(ming)顯,是目前世界上(shang)先進的(de)照(zhao)明(ming)技術(shu)。被業界認(ren)為是人類繼愛迪生發(fa)(fa)明(ming)白(bai)熾燈泡(pao)后偉大的(de)發(fa)(fa)明(ming)之一。

 

   LED的(de)另(ling)一大(da)特點是環(huan)保。LED為(wei)固態發光器件(jian),不(bu)含汞(gong),在生產和使用中都不(bu)會(hui)因為(wei)破裂(lie)導致有毒金屬(shu)環(huan)境污(wu)染。

 

   2、LED應用(yong)領域及其(qi)分(fen)類

 

 

   在全球(qiu)能源危(wei)機(ji)的(de)大環境下,節能、環保、色彩豐富(fu)、安全、壽命長、微型化的(de)半導體LED照(zhao)明(ming)已被(bei)世界(jie)公認為(wei)人類照(zhao)明(ming)史上(shang)第三次(ci)照(zhao)明(ming)革命。隨著 LED技術的(de)提升,其應用(yong)領域正在不斷拓(tuo)展和(he)延伸,被(bei)廣泛運(yun)用(yong)于液(ye)晶屏背光源、通用(yong)照(zhao)明(ming)、信(xin)號顯示(shi)、信(xin)號燈(deng)(deng)和(he)車用(yong)燈(deng)(deng)具(ju)等領域。

 

   3、LED封(feng)裝及其產品分類

 

 

   LED封(feng)裝(zhuang)是指用環氧樹(shu)脂或有(you)機硅等(deng)材料把LED芯(xin)片(pian)和支(zhi)(zhi)架包(bao)封(feng)起(qi)來(lai)的(de)過程(cheng)。具體(ti)而言,就是將LED芯(xin)片(pian)及其(qi)他構(gou)成要(yao)素在支(zhi)(zhi)架或基(ji)板上(shang)布置、固(gu)(gu)定(ding)及連接(jie),引出接(jie)線(xian)端子,并通過可塑性(xing)透(tou)光絕緣體(ti)介質(zhi)包(bao)封(feng)固(gu)(gu)定(ding),構(gou)成整體(ti)立體(ti)結構(gou)的(de)過程(cheng),為芯(xin)片(pian)的(de)正(zheng)常工作提(ti)供(gong)保護及散熱功能。

 

   目前,LED器件的類型(xing)(xing)(xing)主要為直(zhi)插(cha)型(xing)(xing)(xing)(Lamp)和表面貼(tie)裝(zhuang)(zhuang)型(xing)(xing)(xing)(SMD),其中,SMD型(xing)(xing)(xing)產品(pin)(pin)與Lamp型(xing)(xing)(xing)產品(pin)(pin)相(xiang)比(bi),具有(you)很多獨(du)到的優異特性,如:組裝(zhuang)(zhuang)密度高、電子產品(pin)(pin)體(ti)積小(xiao)、重量輕,節省材料、能源、設備(bei)、人(ren)力、時間等(deng)。具體(ti)體(ti)現為:

 

   (1)焊點缺(que)陷率(lv)低,高頻特性好,減(jian)少了電(dian)磁和射頻干擾;

 

   (2)可靠(kao)性(xing)高、抗振能力強;

 

   (3)易于實現自動化(hua),提高(gao)生產效率,降低成本達30%—50%;

 

   (4)貼片組(zu)件的體積和重(zhong)量只有傳統(tong)插(cha)裝組(zu)件的1/10左右(you),一般采用SMT之后,電(dian)子產品體積縮小40%—60%,重(zhong)量減輕(qing)60%—80%。

 

   目前,SMD LED主(zhu)要應用于背光、照明(ming)等領(ling)域(yu)。

 

   從(cong)封裝形(xing)式區分,SMD LED產(chan)品包括(kuo)Chip類(lei)(lei)、Top類(lei)(lei)、Sideview類(lei)(lei)和(he)(he)大功(gong)率(lv)類(lei)(lei)產(chan)品,其(qi)中TOP類(lei)(lei)、Sideview類(lei)(lei)和(he)(he)大功(gong)率(lv)類(lei)(lei)產(chan)品主(zhu)要以白(bai)光、高亮(liang)為主(zhu),主(zhu)要運用領(ling)域(yu)為背光(如:手機、電(dian)腦等領(ling)域(yu))和(he)(he)照(zhao)(zhao)明(如:室(shi)(shi)內照(zhao)(zhao)明、室(shi)(shi)外照(zhao)(zhao)明等),因此,SMD高端(duan)形(xing)式封裝的(de)具體產(chan)品通(tong)常為TOP類(lei)(lei)產(chan)品、Sideview類(lei)(lei)產(chan)品和(he)(he)大功(gong)率(lv)類(lei)(lei)產(chan)品,具體表現為白(bai)光、高亮(liang)產(chan)品。國內直插式器件(jian)(jian)(jian)市場已(yi)經基本飽和(he)(he),利潤逐(zhu)(zhu)年下降;SMD低端(duan)器件(jian)(jian)(jian)競爭已(yi)日趨白(bai)日化(hua),SMD中高端(duan)器件(jian)(jian)(jian)產(chan)能處于逐(zhu)(zhu)步釋放(fang)階段,產(chan)品價格(ge)變(bian)化(hua)較大。

 

   4、LED按發光顏色分類及(ji)其應用

 

   LED屬于半導體(ti)光(guang)電器件范疇,依(yi)發(fa)光(guang)顏色分(fen)為單色光(guang)LED、全彩LED和(he)(he)白光(guang)LED。其(qi)中,白光(guang)LED主要(yao)用于背光(guang)和(he)(he)照(zhao)明領(ling)域,用途(tu)較為廣泛。各(ge)色光(guang)LED分(fen)類及應(ying)用領(ling)域如(ru)下:

 

   隨著白(bai)光(guang)(guang)LED的(de)(de)(de)發(fa)(fa)(fa)光(guang)(guang)效(xiao)率(lv)的(de)(de)(de)提升,半導(dao)體照(zhao)(zhao)(zhao)(zhao)(zhao)(zhao)明(ming)(ming)(ming)已(yi)廣泛應用(yong)于(yu)手(shou)機、背光(guang)(guang)源、特種照(zhao)(zhao)(zhao)(zhao)(zhao)(zhao)明(ming)(ming)(ming)等領(ling)(ling)域(yu),正向普(pu)通照(zhao)(zhao)(zhao)(zhao)(zhao)(zhao)明(ming)(ming)(ming)領(ling)(ling)域(yu)推(tui)進。按照(zhao)(zhao)(zhao)(zhao)(zhao)(zhao)“美國(guo)半導(dao)體照(zhao)(zhao)(zhao)(zhao)(zhao)(zhao)明(ming)(ming)(ming)發(fa)(fa)(fa)展藍圖(OIDA2002.11)”規劃(資料(liao)來源:《中國(guo)半導(dao)體照(zhao)(zhao)(zhao)(zhao)(zhao)(zhao)明(ming)(ming)(ming)產(chan)業發(fa)(fa)(fa)展年(nian)鑒》(2008-2009)),到2012年(nian)照(zhao)(zhao)(zhao)(zhao)(zhao)(zhao)明(ming)(ming)(ming)用(yong)LED的(de)(de)(de)發(fa)(fa)(fa)光(guang)(guang)效(xiao)率(lv)達到150lm/w,2020年(nian)照(zhao)(zhao)(zhao)(zhao)(zhao)(zhao)明(ming)(ming)(ming)用(yong)LED的(de)(de)(de)發(fa)(fa)(fa)光(guang)(guang)效(xiao)率(lv)要達到200lm/w,滲透到所有照(zhao)(zhao)(zhao)(zhao)(zhao)(zhao)明(ming)(ming)(ming)領(ling)(ling)域(yu)。目前(qian),白(bai)光(guang)(guang)LED的(de)(de)(de)發(fa)(fa)(fa)光(guang)(guang)效(xiao)率(lv)大約(yue)在(zai)120lm/w,不斷提升白(bai)光(guang)(guang)LED的(de)(de)(de)發(fa)(fa)(fa)光(guang)(guang)效(xiao)率(lv)已(yi)成為(wei)推(tui)動白(bai)光(guang)(guang)LED技(ji)術進步的(de)(de)(de)重要內容之一。到目前(qian)為(wei)止,還沒有發(fa)(fa)(fa)現比白(bai)光(guang)(guang)LED更適合于(yu)半導(dao)體照(zhao)(zhao)(zhao)(zhao)(zhao)(zhao)明(ming)(ming)(ming)領(ling)(ling)域(yu)的(de)(de)(de)產(chan)品。

 

   5、LED應用(yong)發(fa)展概(gai)況

 

   早在1907年,人類就發(fa)現(xian)(xian)了半導體材料(liao)的(de)通(tong)電(dian)發(fa)光現(xian)(xian)象,然而(er)直到20世紀60年代,由化合物(wu)半導體材料(liao)GaAsP制成(cheng)的(de)紅(hong)光LED才真正實現(xian)(xian)商用(yong),但由于發(fa)光效率非(fei)常(chang)低(di),而(er)成(cheng)本卻非(fei)常(chang)高,當時僅用(yong)于各種昂貴電(dian)子設備的(de)信號指示燈。

 

   進(jin)入90年(nian)代以后,隨著(zhu)LED發(fa)(fa)光(guang)效(xiao)率(lv)、發(fa)(fa)光(guang)強度的逐漸提高(gao),以及發(fa)(fa)光(guang)光(guang)色(se)對整個可見光(guang)譜范圍的全覆(fu)蓋,LED光(guang)源(yuan)(yuan)的節能(neng)效(xiao)果和實用性得以凸顯,其應用領域(yu)也(ye)得到了較大(da)的拓展,目前LED已經廣泛應用于(yu)液晶屏背光(guang)源(yuan)(yuan)、戶外大(da)屏幕(mu)、光(guang)通信光(guang)源(yuan)(yuan)、交(jiao)通信號燈(deng)、舞臺燈(deng)、景觀燈(deng)、汽車尾(wei)燈(deng),并逐漸進(jin)入路燈(deng)、室內(nei)照(zhao)明(ming)、汽車前燈(deng)等傳統照(zhao)明(ming)應用領域(yu)。

 

 

   6、全球LED封裝(zhuang)行業發展狀況

 

   全(quan)(quan)球LED封裝行業(ye)的發展是(shi)伴隨著LED產(chan)業(ye)鏈技(ji)術的發展進(jin)行的,具有明顯(xian)的產(chan)業(ye)轉移特(te)征。全(quan)(quan)球五大LED巨頭:日(ri)本Nichia、ToyodaGosei、美國(guo)CREE、Lumileds、德國(guo)Osram代(dai)表了LED的高技(ji)術水平,引領著LED產(chan)業(ye)的發展。

 

   20世(shi)(shi)紀50年(nian)(nian)代(dai)(dai),英國發(fa)(fa)明了(le)(le)第*枚具有現代(dai)(dai)意義的(de)(de)(de)LED(Light EmittingDiode),1962年(nian)(nian)美國通(tong)用電氣(qi)公司率(lv)先研制出第*種實際應(ying)用的(de)(de)(de)可見光(guang)(guang)發(fa)(fa)光(guang)(guang)二極管。到(dao)了(le)(le)20世(shi)(shi)紀70年(nian)(nian)代(dai)(dai),黃色(se)和(he)(he)綠(lv)色(se)LED發(fa)(fa)光(guang)(guang)器(qi)誕生,伴隨著新材料(liao)的(de)(de)(de)發(fa)(fa)明和(he)(he)光(guang)(guang)效的(de)(de)(de)提高(gao),單(dan)個LED光(guang)(guang)源的(de)(de)(de)功(gong)率(lv)和(he)(he)光(guang)(guang)通(tong)量也(ye)在迅速增加(jia)。之后的(de)(de)(de)數十年(nian)(nian)LED發(fa)(fa)展迅速,遵守摩爾定律,每18個月亮度(du)就會提高(gao)一倍。20世(shi)(shi)紀90年(nian)(nian)代(dai)(dai),由日(ri)本的(de)(de)(de)日(ri)亞公司研發(fa)(fa)出了(le)(le)藍色(se)LED,帶動白光(guang)(guang)LED的(de)(de)(de)開(kai)發(fa)(fa)成功(gong),使得LED應(ying)用從單(dan)純的(de)(de)(de)標識顯示功(gong)能(neng)向照(zhao)明功(gong)能(neng)邁出了(le)(le)實質性的(de)(de)(de)一步。

 

   隨(sui)著技術的不斷發(fa)展(zhan)(zhan)(zhan)(zhan),LED正在(zai)突破光(guang)衰、散(san)熱、光(guang)效等問題,逐步(bu)成(cheng)為(wei)(wei)公認的節能(neng)(neng)、環保的新型光(guang)源(yuan),具有(you)優越的經濟效益(yi)和社會效益(yi),應(ying)用(yong)前景(jing)極(ji)其(qi)廣(guang)闊。各(ge)國(guo)(guo)(guo)政府日(ri)益(yi)重(zhong)視,為(wei)(wei)節約能(neng)(neng)源(yuan)、推(tui)行(xing)環保,目前很多國(guo)(guo)(guo)家都在(zai)加緊立法(fa)或推(tui)出(chu)相應(ying)科研、應(ying)用(yong)計(ji)劃(hua)(hua)(hua)(hua),或制訂(ding)明(ming)確(que)的鼓勵使用(yong)節能(neng)(neng)型光(guang)源(yuan)的時間表。2001年(nian)7月,美國(guo)(guo)(guo)能(neng)(neng)源(yuan)部啟動一項名為(wei)(wei)“Next-GenerationLightingInitiative(NGLI)”計(ji)劃(hua)(hua)(hua)(hua),即“下一代照(zhao)明(ming)計(ji)劃(hua)(hua)(hua)(hua)”。日(ri)本21世紀照(zhao)明(ming)計(ji)劃(hua)(hua)(hua)(hua)是由日(ri)本金屬研發(fa)中(zhong)心和新能(neng)(neng)源(yuan)產業技術綜合(he)開(kai)(kai)發(fa)機構(NEDO)發(fa)起和組(zu)織的一個(ge)國(guo)(guo)(guo)家計(ji)劃(hua)(hua)(hua)(hua)。2000年(nian)7月,歐盟(meng)實施彩(cai)虹計(ji)劃(hua)(hua)(hua)(hua)(Rainbow project bringscolorto LEDs),設立執行(xing)研究總署(ECCR),通過歐盟(meng)的BRITE/EURAM-3program支持(chi)推(tui)廣(guang)白光(guang)LED的應(ying)用(yong)。為(wei)(wei)應(ying)對全球(qiu)節能(neng)(neng)環保趨勢,韓國(guo)(guo)(guo)產業資源(yuan)部成(cheng)立了“GaN光(guang)半導體(ti)”開(kai)(kai)發(fa)計(ji)劃(hua)(hua)(hua)(hua),來發(fa)展(zhan)(zhan)(zhan)(zhan)以GaN材料(liao)為(wei)(wei)主的白光(guang)LED照(zhao)明(ming)光(guang)源(yuan)相關研究。中(zhong)國(guo)(guo)(guo)2000年(nian)開(kai)(kai)始持(chi)續推(tui)出(chu)眾多LED扶持(chi)政策,并于2009年(nian)開(kai)(kai)展(zhan)(zhan)(zhan)(zhan)“十(shi)城萬盞”LED照(zhao)明(ming)推(tui)廣(guang)計(ji)劃(hua)(hua)(hua)(hua),大力發(fa)展(zhan)(zhan)(zhan)(zhan)LED產業。

 

   全球LED產(chan)業在(zai)各國(guo)(guo)政(zheng)府政(zheng)策的(de)大(da)力(li)扶持下,LED在(zai)各領域得(de)到了廣泛(fan)應用,獲得(de)了快速的(de)發展。當(dang)前,全球LED封裝(zhuang)(zhuang)產(chan)業主要集中于日本、臺灣(wan)(wan)、美(mei)國(guo)(guo)、歐洲、韓國(guo)(guo)和中國(guo)(guo)大(da)陸(lu)等區(qu)域。其中日本、美(mei)國(guo)(guo)、歐洲,因(yin)為(wei)擁有(you)先發產(chan)業技(ji)術和制造(zao)設(she)備(bei)優勢(shi),為(wei)全球早的(de)LED封裝(zhuang)(zhuang)產(chan)業發展區(qu)域;臺灣(wan)(wan)和韓國(guo)(guo)擁有(you)消費類電子完整產(chan)業鏈,產(chan)業上中下游(you)分(fen)工明確,產(chan)業鏈供(gong)銷穩(wen)定,因(yin)此近年來迅速崛起(qi);中國(guo)(guo)大(da)陸(lu)地區(qu)具有(you)成(cheng)(cheng)本優勢(shi)和迅速擴大(da)的(de)LED應用市場,在(zai)近的(de)10年時間里,世界(jie)各國(guo)(guo)包括臺灣(wan)(wan)地區(qu)的(de)LED封裝(zhuang)(zhuang)資本不斷的(de)向中國(guo)(guo)大(da)陸(lu)轉移(yi),紛紛在(zai)中國(guo)(guo)大(da)陸(lu)設(she)立封裝(zhuang)(zhuang)廠,內資封裝(zhuang)(zhuang)企業不斷成(cheng)(cheng)長發展,技(ji)術不斷成(cheng)(cheng)熟和創新(xin),使(shi)得(de)中國(guo)(guo)大(da)陸(lu)也(ye)成(cheng)(cheng)為(wei)LED封裝(zhuang)(zhuang)迅速崛起(qi)的(de)地區(qu)之一。

 

   LED封(feng)(feng)裝具有(you)技術(shu)密集(ji)型(xing)和(he)資本密集(ji)型(xing)的(de)(de)(de)(de)(de)特點,由(you)于中(zhong)國大(da)(da)(da)(da)陸(lu)具有(you)成(cheng)(cheng)本優勢和(he)迅速擴大(da)(da)(da)(da)的(de)(de)(de)(de)(de)LED應用市(shi)場,國際(ji)及臺灣(wan)封(feng)(feng)裝廠(chang)(chang)商紛紛到(dao)大(da)(da)(da)(da)陸(lu)投資建廠(chang)(chang),以取(qu)得(de)就近配(pei)套與終端(duan)市(shi)場優勢,使得(de)中(zhong)國大(da)(da)(da)(da)陸(lu)的(de)(de)(de)(de)(de)LED封(feng)(feng)裝產業(ye)得(de)以持(chi)續(xu)快(kuai)速的(de)(de)(de)(de)(de)增(zeng)長,也使得(de)中(zhong)國大(da)(da)(da)(da)陸(lu)成(cheng)(cheng)為全球重要的(de)(de)(de)(de)(de)LED封(feng)(feng)裝基地(di),這(zhe)不僅擴大(da)(da)(da)(da)了(le)中(zhong)國大(da)(da)(da)(da)陸(lu)LED封(feng)(feng)裝在世(shi)界LED封(feng)(feng)裝領域的(de)(de)(de)(de)(de)市(shi)場占有(you)率,同時也提升了(le)中(zhong)國大(da)(da)(da)(da)陸(lu)廠(chang)(chang)商的(de)(de)(de)(de)(de)LED封(feng)(feng)裝技術(shu),加速了(le)整個(ge)產業(ye)的(de)(de)(de)(de)(de)快(kuai)速發展。中(zhong)國封(feng)(feng)裝產業(ye)初步形成(cheng)(cheng)了(le)珠(zhu)江三角洲、長江三角洲、閩(min)贛(gan)地(di)區、環渤海區域等四大(da)(da)(da)(da)LED密集(ji)區域,中(zhong)國已經(jing)成(cheng)(cheng)為世(shi)界重要的(de)(de)(de)(de)(de)LED封(feng)(feng)裝基地(di)。

 

   7、LED封裝行業(ye)的發展趨(qu)勢

 

   1)SMD封裝逐漸成為LED封裝的主要形式

 

   表面貼裝封裝的(de)SMD LED成為一個發展熱點,很(hen)好地解決了亮度(du)、視角、平整度(du)、可靠性、一致性等問(wen)題(ti),采用更(geng)(geng)(geng)輕(qing)(qing)的(de)PCB板和(he)反(fan)射(she)層材(cai)料(liao),在顯(xian)示(shi)反(fan)射(she)層需要(yao)填充的(de)環氧樹脂更(geng)(geng)(geng)少(shao),并去除較(jiao)重(zhong)(zhong)的(de)碳鋼材(cai)料(liao)引腳(jiao),通過縮小尺寸,降低重(zhong)(zhong)量(liang),可輕(qing)(qing)易地將(jiang)產品(pin)重(zhong)(zhong)量(liang)減(jian)輕(qing)(qing)一半(ban),終(zhong)使應用更(geng)(geng)(geng)趨完美,尤其適合對產品(pin)厚度(du)不斷減(jian)少(shao)的(de)各類背光產品(pin)及戶(hu)內,半(ban)戶(hu)外全彩(cai)顯(xian)示(shi)屏(ping)應用。

 

   SMD LED封裝具有一(yi)定的技(ji)(ji)術(shu)難度(du),這種技(ji)(ji)術(shu)難度(du)體現在:

 

   一是如何設計器(qi)(qi)件結(jie)構(gou),優化(hua)封(feng)裝材料組合,以提(ti)高器(qi)(qi)件發光效率,并使配光曲線滿(man)足要(yao)求(qiu)。良好的(de)(de)(de)封(feng)裝形式不(bu)僅能(neng)夠(gou)提(ti)高LED芯片的(de)(de)(de)使用效果,也有助于企(qi)業實(shi)現產品的(de)(de)(de)差異化(hua)。SMD器(qi)(qi)件結(jie)構(gou)的(de)(de)(de)不(bu)斷研究,帶(dai)來了器(qi)(qi)件結(jie)構(gou)的(de)(de)(de)不(bu)斷發展,針對(dui)細分市場(chang)的(de)(de)(de)專用器(qi)(qi)件不(bu)斷出(chu)現,如滿(man)足戶外(wai)顯示屏應用要(yao)求(qiu)的(de)(de)(de)橢圓(yuan)形LED、滿(man)足小尺(chi)寸LCD背光要(yao)求(qiu)的(de)(de)(de)側面發光LED等。

 

   二是(shi)有效解(jie)決(jue)散熱(re)問題,以(yi)提高(gao)器(qi)件(jian)可靠(kao)性。LED器(qi)件(jian)熱(re)阻(zu)高(gao)會導致芯片(pian)的(de)PN結溫升(sheng)高(gao),引(yin)起LED光(guang)衰發生、散熱(re)是(shi)LED封裝首(shou)要的(de)技術(shu)難點。本(ben)項(xiang)關(guan)鍵技術(shu)的(de)持續(xu)研(yan)究,豐富(fu)和發展了封裝材(cai)料,從而使器(qi)件(jian)熱(re)阻(zu)大(da)大(da)降低(di),器(qi)件(jian)壽(shou)命有了根本(ben)保證。

 

   白光(guang)LED的(de)(de)(de)封裝技術(shu)成為(wei)業界為(wei)關注且投入研究力量多的(de)(de)(de)一項關鍵技術(shu),利用(yong)先進的(de)(de)(de)封裝技術(shu),提高(gao)對白光(guang)LED色(se)溫、色(se)度坐標、顯色(se)指數等參(can)數的(de)(de)(de)控制,從而(er)獲得品質優良的(de)(de)(de)白光(guang)LED,以滿足不(bu)同(tong)市場對不(bu)同(tong)白光(guang)LED的(de)(de)(de)要求(qiu),實(shi)現批量生(sheng)產的(de)(de)(de)白光(guang)LED色(se)溫、色(se)度坐標、顯色(se)指數高(gao)度集(ji)中,對任(ren)何廠商而(er)言,都(dou)是極(ji)具挑戰性(xing)的(de)(de)(de)技術(shu)難題。

 

   2)背光源和照明產品將成LED市場后續高速成長的動力

 

   隨著LED背光(guang)(guang)源在大尺寸液(ye)晶面板中滲透率的快速(su)提升和(he)(he)LED照明(ming)市場的超預期發展,整個LED行業將(jiang)會出現加速(su)增長(chang)勢頭(tou)。LED背光(guang)(guang)和(he)(he)LED通(tong)用照明(ming)是增長(chang)快的兩個領域,背光(guang)(guang)源和(he)(he)照明(ming)將(jiang)成LED市場后續高速(su)成長(chang)的動力。

 

   8、背光LED市(shi)場(chang)需求

 

   LED背光源(yuan)包(bao)括小尺(chi)(chi)寸(cun)背光源(yuan)、中尺(chi)(chi)寸(cun)背光源(yuan)以及大(da)尺(chi)(chi)寸(cun)背光源(yuan),其中小尺(chi)(chi)寸(cun)背光源(yuan)主要(yao)應用(yong)于(yu)手機、MP3、MP4、PDA、數碼相機、攝像機和(he)健身器(qi)(qi)材等(deng);中尺(chi)(chi)寸(cun)背光源(yuan),主要(yao)用(yong)于(yu)筆記本電(dian)(dian)腦、上網(wang)本、計(ji)算機顯示器(qi)(qi)和(he)監視(shi)器(qi)(qi)等(deng);大(da)尺(chi)(chi)寸(cun)主要(yao)應用(yong)于(yu)液晶電(dian)(dian)視(shi)等(deng)。

 

   不同尺寸液晶(jing)屏對LED背光源的數(shu)量(liang)及性能要求如下:

 

 

   9、照明LED市場(chang)需求

 

   LED照(zhao)(zhao)(zhao)(zhao)明(ming)較(jiao)普通照(zhao)(zhao)(zhao)(zhao)明(ming)具備節(jie)能、環保(bao)、響應(ying)時間(jian)短、使(shi)用(yong)時間(jian)長等(deng)(deng)優勢(shi),決定了(le)它是理想(xiang)的替代光源。目前其使(shi)用(yong)成本(ben)偏高(gao),其大力推廣受(shou)到了(le)制約,但是隨著LED成本(ben)的逐(zhu)步降低,同時在各國(guo)政府致(zhi)力推廣節(jie)能政策、全球范圍(wei)內逐(zhu)步淘(tao)汰白熾燈(deng)(deng)的推動下,LED照(zhao)(zhao)(zhao)(zhao)明(ming)將帶(dai)來巨大的發展機遇。LED照(zhao)(zhao)(zhao)(zhao)明(ming)應(ying)用(yong)市(shi)場主(zhu)要可(ke)分為室外景觀照(zhao)(zhao)(zhao)(zhao)明(ming)(護欄燈(deng)(deng)、投(tou)射燈(deng)(deng)、草坪燈(deng)(deng)等(deng)(deng))、室內普通照(zhao)(zhao)(zhao)(zhao)明(ming)、裝飾照(zhao)(zhao)(zhao)(zhao)明(ming)、專(zhuan)用(yong)照(zhao)(zhao)(zhao)(zhao)明(ming)(路燈(deng)(deng)、手電筒(tong)、頭(tou)燈(deng)(deng)、閱(yue)讀燈(deng)(deng)等(deng)(deng))、特種照(zhao)(zhao)(zhao)(zhao)明(ming)(軍用(yong)、醫(yi)用(yong)照(zhao)(zhao)(zhao)(zhao)明(ming)、生(sheng)物專(zhuan)用(yong)燈(deng)(deng)等(deng)(deng))和(he)車(che)燈(deng)(deng)照(zhao)(zhao)(zhao)(zhao)明(ming)等(deng)(deng)。

 

   隨著(zhu)白(bai)熾燈(deng)泡(pao)的(de)禁用,10W以下的(de)LED燈(deng)泡(pao)商機涌現。依(yi)現階段(duan)照明占全球(qiu)電(dian)力消(xiao)耗的(de)比重達19%,耗能(neng)總量達到2651TWH。如(ru)果能(neng)夠將(jiang)現有(you)的(de)光源替換成(cheng)節能(neng)光源,預計(ji)將(jiang)可(ke)(ke)以省下30%能(neng)源消(xiao)耗。若再(zai)進一步將(jiang)節能(neng)光源與感測器、智能(neng)電(dian)網等(deng)相關應(ying)用作結合,預計(ji)還可(ke)(ke)以再(zai)節省30%的(de)能(neng)源消(xiao)耗。如(ru)果到2030年(nian)能(neng)夠節省50%的(de)能(neng)耗,相當于(yu)減少20億桶石油(you)的(de)二(er)氧化碳(tan)排(pai)放量。

 

&nbsp;  全球白熾(chi)燈(deng)泡的(de)年平(ping)均消耗(hao)量在(zai)200億(yi)只,LED在(zai)白熾(chi)燈(deng)照明領域(yu)滲(shen)透(tou)率每(mei)提升(sheng)一個百(bai)分點,就(jiu)會帶來32億(yi)顆LED封裝器件的(de)增量需求。

 

   10、中國大(da)陸LED封裝行業競爭格局

 

   這四(si)大(da)(da)區(qu)域(yu)(yu)一(yi)直(zhi)是(shi)(shi)(shi)中(zhong)(zhong)國(guo)LED產(chan)(chan)業(ye)(ye)發展的(de)基礎所在(zai),也是(shi)(shi)(shi)LED產(chan)(chan)品(pin)應用推(tui)廣的(de)主要(yao)地(di)區(qu)。其(qi)(qi)中(zhong)(zhong)珠(zhu)三角(jiao)地(di)區(qu)是(shi)(shi)(shi)中(zhong)(zhong)國(guo)LED封裝企業(ye)(ye)集(ji)中(zhong)(zhong),封裝產(chan)(chan)業(ye)(ye)規(gui)模(mo)大(da)(da)的(de)地(di)區(qu),企業(ye)(ye)數(shu)量占(zhan)全(quan)中(zhong)(zhong)國(guo)的(de)一(yi)半(ban)左右,該區(qu)域(yu)(yu)匯聚(ju)眾多封裝物料與封裝設(she)備的(de)生產(chan)(chan)商(shang)與代理商(shang),配套為完善,其(qi)(qi)他3個地(di)區(qu)企業(ye)(ye)規(gui)模(mo)較(jiao)小(xiao)。長三角(jiao)地(di)區(qu),以上海、杭(hang)州、揚(yang)州、寧波為產(chan)(chan)業(ye)(ye)聚(ju)集(ji)中(zhong)(zhong)心,投資環境(jing)較(jiao)好,為中(zhong)(zhong)國(guo)的(de)LED產(chan)(chan)業(ye)(ye)第(di)二大(da)(da)封裝基地(di),產(chan)(chan)業(ye)(ye)鏈上下游較(jiao)平衡。閩(min)贛地(di)區(qu)主要(yao)是(shi)(shi)(shi)以廈門、泉州、南昌、景德(de)鎮為產(chan)(chan)業(ye)(ye)聚(ju)集(ji)中(zhong)(zhong)心,為中(zhong)(zhong)國(guo)大(da)(da)的(de)外延(yan)、芯片制(zhi)(zhi)造基地(di),因(yin)臨(lin)近臺灣(wan),具有優越的(de)LED產(chan)(chan)業(ye)(ye)對接優勢。環渤(bo)海地(di)區(qu)是(shi)(shi)(shi)以北京、石家(jia)莊、沈陽、大(da)(da)連、山東濰坊為產(chan)(chan)業(ye)(ye)聚(ju)集(ji)中(zhong)(zhong)心,其(qi)(qi)特點是(shi)(shi)(shi)科研單位、研究所和大(da)(da)學眾多,因(yin)此在(zai)LED制(zhi)(zhi)程技術、LED設(she)備研究方面一(yi)直(zhi)走在(zai)中(zhong)(zhong)國(guo)前列。

 

   11、產業鏈概述(shu)

 

   LED產業(ye)具有典(dian)型的不均衡產業(ye)鏈(lian)結構(gou),一(yi)般(ban)按(an)照材料(liao)制備、芯片制備和器件封裝與應用分(fen)為上(shang)、中、下游,雖然產業(ye)環節不多(duo),但(dan)其涉(she)及的技術領域廣泛,技術工藝多(duo)樣(yang)化,每一(yi)領域的技術特(te)征(zheng)和資本特(te)征(zheng)差(cha)異(yi)很大(da)。

 

   LED產(chan)業的(de)產(chan)業鏈主要(yao)可分四部分:即LED外延片(pian)生長(chang)、芯片(pian)制(zhi)(zhi)(zhi)造(zao)、器件(jian)封裝(zhuang)和(he)應用(yong)產(chan)品(pin)及相關配(pei)套(tao)產(chan)業,分為上(shang)游(you)(you)、中(zhong)游(you)(you)和(he)下(xia)游(you)(you)。半導體襯底材(cai)料、外延晶(jing)片(pian)的(de)制(zhi)(zhi)(zhi)造(zao)是上(shang)游(you)(you)產(chan)業,芯片(pian)制(zhi)(zhi)(zhi)造(zao)是中(zhong)游(you)(you)產(chan)業,器件(jian)封裝(zhuang)及基于LED器件(jian)的(de)應用(yong)產(chan)品(pin)制(zhi)(zhi)(zhi)造(zao)是下(xia)游(you)(you)產(chan)業。

 

 

   12、生產工(gong)藝流程

 

   白(bai)光LED的封裝(zhuang)工(gong)藝的實現是采用高精度全自動化生產設備,封裝(zhuang)環境為萬級無塵(chen)車間。

 

   A、背光(guang)LED器件生產工(gong)藝(yi)流(liu)程圖

 

 

   B、照明LED器件生(sheng)產(chan)工藝流程圖(tu)

 

 

   (1)大功率(含0.5W及以上)照明LED

 

   13、環境保(bao)護(hu)

   生產(chan)(chan)過程中不(bu)存在(zai)高危(wei)險或重(zhong)污(wu)染(ran)的情況(kuang),所生產(chan)(chan)產(chan)(chan)品亦為節能(neng)環保產(chan)(chan)品。主(zhu)要污(wu)染(ran)源和(he)污(wu)染(ran)物為:生活(huo)廢水、一般(ban)廢氣、有機(ji)(ji)廢氣、噪聲(sheng)源和(he)固體廢物,其中,噪聲(sheng)源來自切割(ge)機(ji)(ji)、焊線機(ji)(ji)等(deng)工藝設備(bei)和(he)冷凍機(ji)(ji)、各種(zhong)泵、冷卻塔(ta)和(he)空調機(ji)(ji)組,固體廢物為生產(chan)(chan)過程產(chan)(chan)生的邊角料。

 

   14、安(an)全生產衛生

 

   (1)在工(gong)藝設(she)計中采用合理的(de)生產組織,先(xian)進的(de)生產流程及(ji)生產技術,將危險和有害(hai)因素減至低程度(du)。

 

   (2)生(sheng)產(chan)中產(chan)生(sheng)的(de)有害氣體的(de)工藝設備設局部排(pai)風裝(zhuang)置,并(bing)處理達標后再排(pai)放(fang),確保(bao)生(sheng)產(chan)人員(yuan)的(de)身體健康。

 

   (3)所有用(yong)(yong)電(dian)(dian)(dian)設(she)(she)(she)備、配電(dian)(dian)(dian)設(she)(she)(she)備設(she)(she)(she)安全接(jie)(jie)地,配電(dian)(dian)(dian)系統(tong)設(she)(she)(she)短路保護(hu)、過電(dian)(dian)(dian)流(liu)保護(hu)等(deng)措施(shi),保證用(yong)(yong)電(dian)(dian)(dian)安全。對高(gao)大建(jian)筑物采用(yong)(yong)避雷(lei)針方式。380/220V供(gong)電(dian)(dian)(dian)系統(tong)采用(yong)(yong)接(jie)(jie)零保護(hu),防止出現電(dian)(dian)(dian)擊事故。

 

   (4)主要建筑物設避雷網(wang)。

 

   (5)廠房出入口及潔凈區內有(you)應(ying)急(ji)照(zhao)明、安(an)全出口供(gong)疏(shu)散使用。發生事(shi)故(gu)時,人員(yuan)可迅速撤離(li)。

 

   (6)對風(feng)機、泵等(deng)設備產生的噪(zao)(zao)聲采(cai)取(qu)一系列降低噪(zao)(zao)聲措施,例如選用(yong)低噪(zao)(zao)聲設備,采(cai)用(yong)減振基礎(chu)、消聲器(qi)等(deng)保證(zheng)室內噪(zao)(zao)聲符合國家(jia)規范要(yao)求。