了解該方(fang)案如何應(ying)用在TWS充電盒！

BQ25618/9是TI為TWS耳(er)機(ji)充電(dian)盒(he)專門開(kai)(kai)發的一款三合一（保護(hu)，充電(dian)及(ji)升壓）的IIC控制開(kai)(kai)關充電(dian)芯片。

其中BQ25618跟BQ25619在規格上一致，區別在于BQ25618采用的(de)是小型化的(de)DSBGA封(feng)裝，0.4mm的(de)管腳間距，對生(sheng)產(chan)工藝有較高的(de)要求，而BQ25619采用的(de)稍大一點的(de)WQFN封(feng)裝，方便線路布板，器件的(de)封(feng)裝尺寸見下圖一。

我們從(cong)下面四個角(jiao)度(du)角(jiao)度(du)來了解這顆(ke)芯(xin)片：

降壓充電功能
1. 輸入(ru)工作電(dian)壓范圍支(zhi)(zhi)(zhi)持(chi)4-13.5V，瞬間(jian)浪涌(yong)電(dian)壓可(ke)以支(zhi)(zhi)(zhi)持(chi)到22V，可(ke)以很(hen)方便的支(zhi)(zhi)(zhi)持(chi)5V,9V,12V工作系統。

2. 輸入過(guo)壓通(tong)(tong)過(guo)VAC腳(jiao)檢測，默(mo)認值OVP值為14.2V，通(tong)(tong)過(guo)IIC可以有四(si)擋OVP值調(diao)(diao)節5.7 V/6.4 V/11 V/14.2，可以根據實際需求靈活(huo)調(diao)(diao)整。

3. IIC編程設置(zhi)輸入(ru)過流(liu)保護點，范圍可以從100mA到3.2A，最小(xiao)步(bu)進電流(liu)是100mA。

4. 動(dong)態(tai)功(gong)率管理（DPM-Dynamic  Power Management ）,當(dang)輸(shu)入電流超過輸(shu)入過流保(bao)(bao)護點(dian)，而使(shi)(shi)得(de)輸(shu)入電壓逐漸降低，當(dang)達到設定的(de)電壓跌落值(zhi)(zhi)(zhi)時默認值(zhi)(zhi)(zhi)為4.5V（3.9V-5.4V，可(ke)使(shi)(shi)用IIC設定，最(zui)小步(bu)進(jin)100mV），系統開始減少充(chong)電電流，從而保(bao)(bao)證輸(shu)入電壓維(wei)持在設定值(zhi)(zhi)(zhi)。DPM功(gong)能可(ke)以很好的(de)防止由于輸(shu)入適配器帶負載能力不夠而造成(cheng)的(de)整個系統的(de)癱瘓。

5. 具有自動(dong)輸入檢測功(gong)能，當(dang)檢測到(dao)輸入適(shi)配器(qi)插入，系(xi)統會自動(dong)關閉(bi)內置的升(sheng)壓電路(lu)。

升壓放電功能

1. 當適配(pei)器(qi)插入，仍然可以用PMID給(gei)耳(er)機充電，此時(shi)電壓為輸入電壓，升壓停止工作(zuo)。PMID_GOOD設計用來做輸入過壓過流(liu)保(bao)護的。

2. PMID 腳是升壓(ya)輸(shu)出(chu)(chu)腳，輸(shu)出(chu)(chu)電流(liu)最大為1A，輸(shu)出(chu)(chu)電壓(ya)支(zhi)持4檔（4.6V/4.75V/5V/5.15V）IIC可調(diao)，方便根據實際的(de)需(xu)求降低輸(shu)出(chu)(chu)電壓(ya)，減小(xiao)損耗。當只有電池的(de)情況下，內置升壓(ya)才(cai)開始工作，通(tong)過PMID輸(shu)出(chu)(chu)相應的(de)設定電壓(ya)。

3.  PMID_GOOD腳是PMID電(dian)(dian)(dian)壓(ya)(ya)的(de)(de)檢測腳，當PMID 電(dian)(dian)(dian)壓(ya)(ya)升(sheng)(sheng)到3.8V的(de)(de)時(shi)候，PMID_GOOD電(dian)(dian)(dian)平(ping)從(cong)低轉為高，表示(shi)升(sheng)(sheng)壓(ya)(ya)系(xi)統(tong)正常工作(zuo)。如(ru)(ru)果發生過(guo)(guo)(guo)(guo)壓(ya)(ya)（超過(guo)(guo)(guo)(guo)5.8V），電(dian)(dian)(dian)池側過(guo)(guo)(guo)(guo)流(liu)(liu)（超過(guo)(guo)(guo)(guo)6A）的(de)(de)情況，PMID_GOOD會從(cong)高電(dian)(dian)(dian)平(ping)轉為低電(dian)(dian)(dian)平(ping)，根據(ju)PMID_GOOD指示(shi)可以很(hen)容易驅(qu)動外置的(de)(de)PMOS做過(guo)(guo)(guo)(guo)壓(ya)(ya)、過(guo)(guo)(guo)(guo)流(liu)(liu)時(shi)升(sheng)(sheng)壓(ya)(ya)系(xi)統(tong)的(de)(de)切斷，從(cong)而(er)給系(xi)統(tong)疊加雙重保護。外置保護電(dian)(dian)(dian)路可以參考如(ru)(ru)圖三所示(shi)

輸出介紹
1. 充(chong)(chong)電(dian)電(dian)流(liu)最大1.5A, 同時具有20mA步(bu)進(jin)（20mA-1.5A 可編程）的(de)(de)充(chong)(chong)電(dian)截止電(dian)流(liu)，10mV的(de)(de)步(bu)進(jin)充(chong)(chong)電(dian)電(dian)壓，可以使充(chong)(chong)電(dian)盒的(de)(de)電(dian)池充(chong)(chong)的(de)(de)更(geng)滿。

2. 為了(le)補償截(jie)止電(dian)(dian)流(liu)的精度，讓電(dian)(dian)池能(neng)夠充(chong)的更滿一些，BQ25618/9增加(jia)了(le)TOP-OFF Timer功能(neng)，如下(xia)圖四紅(hong)色框所示，在系統(tong)偵(zhen)測到充(chong)電(dian)(dian)截(jie)止后，還(huan)可以選(xuan)擇性(xing)的通過IIC增加(jia)充(chong)電(dian)(dian)時間（0，15min，30min，45min）。

3. QON腳(jiao)支持運輸(shu)模(mo)式，在運輸(shu)模(mo)式下，漏電流可以低至7uA。

4. 優化過(guo)的路徑(jing)管(guan)理(li)功能可以在即使電池過(guo)放或者電池斷開的情況下，給系(xi)統供電。

5. 室溫下的靜(jing)態電(dian)流(liu)(liu)典型值(zhi)為(wei)9.5uA，相較于開(kai)關充(chong)電(dian)芯片的漏電(dian)流(liu)(liu)下降70%以(yi)上。可(ke)以(yi)大大增加電(dian)池供電(dian)情況(kuang)下的待機時間

6. 具有系統過(guo)(guo)壓保(bao)(bao)護(hu)(hu)，電(dian)池過(guo)(guo)壓、過(guo)(guo)流保(bao)(bao)護(hu)(hu)，電(dian)池過(guo)(guo)放保(bao)(bao)護(hu)(hu)，除了TS腳的(de)過(guo)(guo)溫保(bao)(bao)護(hu)(hu)外(wai)，還有芯片內部過(guo)(guo)溫保(bao)(bao)護(hu)(hu)（150C關斷）等完善的(de)保(bao)(bao)護(hu)(hu)機制。

PCB 布線介紹
 BQ25619優化管腳的(de)位置，輸入到輸出更加簡潔。以下為BQ25619的(de)PCB layout走線指(zhi)導：

1. 輸入電容(rong)應(ying)盡可能靠近PMID引(yin)腳和GND引(yin)腳，并使(shi)用最(zui)短的(de)走線(xian)連接。添加(jia)1nF小尺寸(cun)（例如0402或0201）的(de)去耦電容(rong)，去除高頻率噪聲(sheng)和改善EMI。

2. 電感輸入引腳(jiao)應盡可能靠(kao)近SW引腳(jiao)放置。最(zui)小化(hua)走線的銅面積以降(jiang)低電場和磁場輻射，注(zhu)意走線要(yao)滿足(zu)最(zui)大電流（見圖五(wu)中黃(huang)色箭頭所(suo)示的功率回路(lu)）。SW走線不要(yao)用多層連接，防止寄(ji)生(sheng)電容造(zao)成開關瞬(shun)間的尖(jian)峰電壓過(guo)高(gao)。

3. 將輸出電容器(qi)靠(kao)近電感和芯(xin)片，接(jie)地(di)需(xu)要與IC的(de)地(di)用最短的(de)走線(xian)相(xiang)連。

4. 將小信(xin)號(hao)地與(yu)功率(lv)地分開布線，單點接地，或使用0電(dian)阻(zu)將小信(xin)號(hao)地連接到功率(lv)地。

5. 去耦(ou)電容必須用(yong)最短(duan)的線擺(bai)放(fang)在IC管腳附近。

6. 將IC背面的裸露散熱焊(han)盤(pan)焊(han)接到PCB上，確保在(zai)IC的正下方有(you)足夠的散熱孔，并連接至接地層，以(yi)幫助散熱。